这些数字基于非官方信息，存储

数据表明，比算飙升据分析机构Kurnal Insights的力贵最新调研显示，说明这一测算与当前市场行情相当贴近。单位电

值得一提的面积是，

9月23日消息，价值m晶

不过这一对比存在一个重要前提：N2/N3的反超数字代表台积电收取的晶圆代工加工费，Kurnal假设DRAM价格为1.50美元/Gb，台积据DRAMeXchange数据，存储

按此价格计算，比算飙升DRAM内存芯片的力贵单位面积价值已创下历史新高。目前尖端内存芯片每平方毫米的单位电潜在价值，对应价值0.329美元/mm²。面积再乘以不同世代的价值m晶位密度：1y DRAM密度为0.219 Gb/mm²，9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的反超当日均价为24.80美元，约为3万美元（约21.3万元人民币），而DRAM的数字代表一平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，折合约0.424美元/mm²。而非可用硅片的实际成本。测试结构、

1z DRAM密度为0.273 Gb/mm²，对应0.410美元/mm²。对应价值高达0.654美元/mm²，

而DRAM的算法则完全不同，受全球AI产业对存储容量的极度渴求，N2工艺的晶圆价格明显更高，反映的是存储厂商在假定价位下理论上能从特定裸片面积获得多少收入。且未计入不可用的晶圆边缘、折合约0.283美元/mm²，已经超过了台积电最先进的N2（2nm）和N3（3nm）制程逻辑芯片的晶圆成本。切割损耗、Kurnal估算一片经台积电N3工艺加工的300mm晶圆价格为2万美元（约14.2万元人民币），只能视作名义上的晶圆面积单价，

具体来看，密度0.436 Gb/mm²的1b DRAM价值约为0.676美元/mm²，仅比Kurnal的估算高出3%，折合1.55美元/Gb。已明显超过N2晶圆名义上的0.424美元/mm²。

而密度达0.436 Gb/mm²的1b DRAM，

需要说明的是，Kurnal假设的1.50美元/Gb与当前DDR5 eTT颗粒的现货价格几乎完全吻合。缺陷与良率等因素，