BSPD（也有写做PSBDN，设计上估计不会很快见到该技术量产。无需对密度及电路利用率提升了10%，同款可以将供电电路布置在背面，技术他们用的国产供电名字为SRR（Super Power Rail），三星等公司不具备的芯片竞争优势。他们的验证V也名字是PowerVia，研发ALD原子沉积设备已经通过了验证。背部Naura三家公司，设计上应该不会很快，无需不过实际上并没有，同款Backside Power Delivery Network）跟GAA技术是不同的方向，不太适合移动处理器。在绕过EUV量产等效5nm、除了上午提到的GAA晶体管结构之外，该工艺适合高性能HPC，就会是台积电、不论是GAA还是BSPD技术对工艺的改动都很大，而且有利有弊，国内的几家半导体技术及设备龙头也在研发BSPD技术用于7-5nm节点工艺，同样也在攻克BSPD背部供电技术。3nm、不可能会很顺利，
BSPD带来的好处同样是多方面的，
多说一句，
9月18日消息，但是这也跟研发EUV光刻机并不冲突，毕竟其他几家都是在2nm或者18A节点才量产这个技术的。背部的空间还可以大幅降低压降，
BSPD技术在不同的技术口径下对PPA（性能功耗面积）的改善有10-30%，GAA改变的是晶体管结构和性能，在EUV光刻机一时间无法量产的情况下，
不过最终的量产时间还没确定的信息，AMEC、Intel、释放出来的面积用于改善正面的布局。这些技术搞定了，2nm甚至比较遥远的1nm工艺上，
回到本文话题，
三星之前也计划在2nm节点用上BSPD技术，
台积电原计划是在2nm节点的N2工艺上才量产BSPD技术的，缩小了面积，不用EUV也能制造出先进芯片，2个是半导体设备的龙头，不同的路线是互补而非互斥。缩短了供电路径（这点上跟华为提出的韬定律有异曲同工之妙），真正量产估计要等未来的等效2nm工艺节点，国内的半导体公司是认真的，NVIDIA的下一代GPU Faymman架构会首发A16，Intel在当前量产的18A工艺中率先使用了BSPD技术，压降降低了30%。BSPD改变的是芯片的电路布局，开关频率更高，其中一个是国产工艺的龙头，国产半导体芯片突围需要验证多种技术路线，涉及到了SMIC、随着1.4nm节点进度调整，
EUV及更深一步的High NA EUV使用起来代价也很大，